手機(jī)可用一星期毋須充電 IBM和Samsung研發(fā)新芯片技術(shù)

來(lái)源： 十輪網(wǎng)
作者：The Verge
時(shí)間：2021-12-30
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在加州舉辦的IEDM 2021國(guó)際電子組件會(huì)議中，IBM和Samsung宣布，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面有重大進(jìn)展，可讓芯片垂直堆棧。

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在加州舉辦的IEDM 2021國(guó)際電子組件會(huì)議中，IBM和Samsung宣布，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面有重大進(jìn)展，可讓芯片垂直堆棧。新的垂直傳輸場(chǎng)效晶體管（VTFET）設(shè)計(jì)旨在取代當(dāng)前用于當(dāng)今一些最先進(jìn)的FinFET技術(shù)，并允許芯片比現(xiàn)在的晶體管排列得更密集。從本質(zhì)上，新設(shè)計(jì)將垂直堆棧晶體管，允許電流在晶體管堆棧中上下流動(dòng)，而不是目前大多數(shù)芯片上使用的左右水平布局。

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相對(duì)傳統(tǒng)晶體管以水平方式堆棧形式設(shè)計(jì)，垂直傳輸場(chǎng)效晶體管能增加晶體管數(shù)量，運(yùn)算速度可提升2倍。受益于垂直設(shè)計(jì)，能讓電流更易通過(guò)，電力損耗可降低85%。

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按新設(shè)計(jì)推算，手機(jī)充電一次，可使用長(zhǎng)達(dá)一周。唯現(xiàn)在IBM和Samsung仍未透露何時(shí)將新技術(shù)應(yīng)用至產(chǎn)品上，預(yù)期將會(huì)有進(jìn)一步消息。

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