手機可用一星期毋須充電 IBM和Samsung研發(fā)新芯片技術

在加州舉辦的IEDM 2021國際電子組件會議中，IBM和Samsung宣布，在半導體設計方面有重大進展，可讓芯片垂直堆棧。新的垂直傳輸場效晶體管（VTFET）設計旨在取代當前用于當今一些最先進的FinFET技術，并允許芯片比現(xiàn)在的晶體管排列得更密集。從本質上，新設計將垂直堆棧晶體管，允許電流在晶體管堆棧中上下流動，而不是目前大多數(shù)芯片上使用的左右水平布局。

相對傳統(tǒng)晶體管以水平方式堆棧形式設計，垂直傳輸場效晶體管能增加晶體管數(shù)量，運算速度可提升2倍。受益于垂直設計，能讓電流更易通過，電力損耗可降低85%。

按新設計推算，手機充電一次，可使用長達一周。唯現(xiàn)在IBM和Samsung仍未透露何時將新技術應用至產(chǎn)品上，預期將會有進一步消息。