IBM與三星共同開發(fā)VTFET芯片技術：手機充電一次續(xù)航2周，助力實現1nm以下制程

IT之家 12月13日消息，在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國際電子元件會議中，IBM與三星共同公布了名為垂直傳輸場效應晶體管(VTFET)的芯片設計技術，該技術將晶體管以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式流通，借此讓晶體管數量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設計面臨瓶頸。

相較傳統將晶體管以水平方式堆疊的設計，垂直傳輸場效應晶體管將能增加晶體管數量堆疊密度，并且讓運算速度提升兩倍，同時通過讓電流以垂直方式流通，也讓電力損耗降低85%（性能和續(xù)航不能同時兼顧）。

IBM和三星聲稱，該工藝有朝一日可能允許手機在一次充電的情況下使用一整個星期。他們說，這也可以使某些能源密集型的任務，包括加密工作，更加省電，從而減少對環(huán)境的影響。

IT之家了解到，目前IBM與三星尚未透露預計何時將垂直傳輸場效應晶體管設計應用在實際產品，但預期很快就會有進一步消息。

不過，臺積電已經在今年5月宣布與中國臺灣大學、麻省理工學院共同研究，通過鉍金屬特性突破1nm制程生產極限，讓制程技術下探至1nm以下。而英特爾日前也已經公布其未來制程技術發(fā)展布局，除了現有納米(nm)等級制程設計，接下來也會開始布局埃米(?)等級制程技術，預計最快會在2024年進入20A制程技術。